Роял термо революшен биметалл отзывы: Радиатор биметалл Royal Thermo Revolution Bimetall 500 – 8 секц.

Габриэль К.Дж., Бехи Ф., Махадеван Р., Мехрегани М. (1990) Измерения трения и износа на месте в интегрированных поликремниевых механизмах.Актуаторы Sens A: Physical 21: 184–188

Google ученый

Krauss AR, Auciello O, Gruen DM, Jayatissa A, Sumant AV, Tucek J, Mancini DC, Moldovan N, Erdemir A, Ersoy D, Gardos MN, Busmann HG, Meyer EM, Ding MQ (2001) Ультрананокристаллический алмазные тонкие пленки для МЭМС и подвижных механических сборочных устройств. Diam Relat Mater 10: 1952–1961

CAS Google ученый

Luo JK, Fu YQ, Le HR, Williams JA, Spearing SM, Milne WI (2007) МЭМС из алмазного и алмазоподобного углерода.J Micromech Microeng 17: 147–163

Google ученый

Аусиелло О., Сумант А.В. (2010) Обзор состояния науки и технологий ультрананокристаллических алмазных (UNCD ™) пленок и их применения в многофункциональных устройствах. Diam Relat Mater 19: 699–718

CAS Google ученый

Spengen WMV, Puers R, Mertens R, Wolf ID (2003) Низкочастотная электрическая испытательная установка для оценки надежности емкостных радиочастотных МЭМС-переключателей.J Micromech Microeng 13: 604–612

Google ученый

Спиринг С.М., Чен К.С. (1998) Проблемы и возможности трибологии в МЭМС. Б. Бхушан (ред. ) Kluwer Academic Publisher, Нидерланды

Google ученый

Rymuza Z, Kusznierewicz Z, Misiak M, Schrnidt-Szalowski K, Rzanek-Boroch Z, Sentek J (1998) Вопросы и возможности трибологии. Kluwer Academic Publisher, Нидерланды, стр. 579

Google ученый

http: // www.Physorg.com/news/2010-12-worlds-diamond-nanoelectromechanical.html

Sung JC-M, Monteith B, Sung M Эмиттер электронов из аморфного алмаза. www.advanceddiamond.com.

Espinosa HD, Peng B, Moldovan N, Friedmann TA, Xiao X, Mancini DC, Auciello O, Carlisle JA, Zorman CA, Mehregany M (2006) Эластичность, прочность и ударная вязкость монокристаллического карбида кремния, ультрананокристаллический алмаз и тетраэдрический аморфный углерод без водорода.Appl Phys Lett 89: 07311-1-07311–3

Google ученый

Мескинис С. , Копустинскас В., Слапикас К., Тамулявичюс Т., Гуобиене А., Гудайтис Р., Григалюнас В. (2006) В лучевом синтезе алмазоподобных углеродных пленок для приложений наноимпринтной литографии. Тонкие твердые пленки 515: 636–639

CAS Google ученый

Ангус Дж. К., Уилл Х. А., Станко В. С. (1968) Выращивание затравочных кристаллов алмаза путем осаждения из паровой фазы.J Appl Phys 39: 2915–2922

CAS Google ученый

Дерягин Б.В., Федосеев Д.В. (1970) Эпитаксиальный синтез алмаза в метастабильной области. Russ Chem Rev 39: 783–788

Google ученый

Мацумото С., Сато Ю., Камо К., Сетака Н. (1982) Рост алмазных частиц из метан-водородного газа. J Mater Sci 17: 3106–3122. https://doi.org/10.1007/BF01203472

CAS Google ученый

Шендерова О. А., Груен Д.М. (2006) Ультра нанокристаллический алмаз: синтез, свойства и применение.Издательство Уильям Эндрю, Берлингтон (Редакторы глав нескольких авторов)

Google ученый

Айзенберг С., Шабо Р. (1971) Ионно-лучевое осаждение тонких пленок алмазоподобного углерода. J Appl Phys 42: 2953–2958

CAS Google ученый

Холланд Л., Охха С.М. (1978) Инфракрасный прозрачный и аморфный углерод, выращенный под действием ионов в бутановой плазме. Тонкие твердые пленки 48: L19 – L20

Google ученый

Weissmantel C, Bewilogua CK, Schürer C, Breuer K, Zscheile H (1979) Определение характеристик твердых углеродных пленок с помощью спектрометрии потерь энергии электронов.Тонкие сплошные пленки 61: L1 – L4

CAS Google ученый

Weissmantel C, Bewilogua K, Breuer K, Dietrich D, Ebersbach U, Erler HJ, Rau B, Reisse G (1982) Получение и свойства твердых покрытий i-C и i-BN. Тонкие сплошные пленки 96: 31–44

CAS Google ученый

Райли Д.Р. (1944) Постоянная решетки алмаза и одинарной связи C-C. Nature 153: 587–588

CAS Google ученый

Фонг CY, Кляйн Б.М. (1995) Электронные и колебательные свойства объемного алмаза.В: Pan LS, Kania DR (eds) Diamond: электронные свойства и приложения. Издательство Kluwer Academic, Бостон, стр. 1-29

Google ученый

Painter GS, Ellis DE, Lubinsky AR (1971) Ab Initio расчеты электронной структуры и оптических свойств алмаза с использованием метода дискретных вариаций. Phys Rev B 4: 3610–3622

Google ученый

Сахли С. (1997) Электронные характеристики и изготовление пьезорезистивных датчиков давления с CVD-алмазом.Докторская диссертация, Университет штата Мичиган.

Миёси К. (1998) Структура и механические свойства природного и синтетического алмаза, отчет. НАСА, Исследовательский центр Льюиса, Кливленд, Огайо 107249, Глава 8.

Батлер Дж. Э., Виндишманн Х (1998) Развитие синтеза CVD-алмаза за последние десятилетия. MRS Bull 23: 22–27

CAS Google ученый

Prelas MA (ed) (2018) Справочник по промышленным алмазам и алмазным пленкам.Рутледж, Чичестер

Google ученый

Батлер Дж. Э., Сумант А. В. (2008) CVD наноалмазных материалов. Депозиты Chem Vap 14: 145–160

CAS Google ученый

Филип Дж., Хесс П., Фейгельсон Ф., Батлер Дж. Э., Чаттопадхай С., Чен К. Х., Чен Л. К. (2003) Упругие, механические и термические свойства нанокристаллических алмазных пленок. J Appl Phys 93: 2164–2171

CAS Google ученый

Sekaric L, Parpia JM, Craighead HG, Feygelson T, Houston BH, Butler JE (2002) Наномеханические резонансные структуры в наноциклическом алмазе. Appl Phys Lett 81: 4455–4457

CAS Google ученый

Кон Э., Глуче Е.П., Адамщик М. (1999) Алмазные МЭМ — новая развивающаяся технология. Diam Relat Mater 8: 934–940

CAS Google ученый

Guillen FJH, Janischowsky K, Kusterer J, Ebert W, Kohn E (2005) Механические характеристики и инженерия напряжений нанокристаллов. Diam Relat Mater 14: 411–415

Google ученый

Уильямс О.А., Даенен М., Д’Хаен Дж., Хаенен К., Маес Дж., Мощалков В.В., Несладек М., Груен Д.М. (2006) Сравнение роста и свойств ультрананокристаллического алмаза и нанокристаллического алмаза.Материал, связанный с алмазами, 15: 654–658

CAS Google ученый

Naguib N, Birrell J, Elam J, Carlisle JA, Auciello O (2006) Метод выращивания тонких углеродных пленок, полностью состоящих из алмазных зерен размером 3–5 нм и высокоэнергетических границ зерен. Патент США № 7,128,8893,7,556,982.

Маккензи Д.Р., Мюллер Д., Пайлторп Б.А. (1991) Формирование тонкой тетраэдрической аморфной тонкой пленки под действием напряжения сжатия. Phys Rev Lett 67: 773–776

CAS Google ученый

Yik YCK, Deraman K, Kit OW, Shamsuri WNW, Husin R (2014) Тонкие нелегированные алмазоподобные углеродные пленки, выращенные методом химического осаждения из паровой фазы с постоянным током и плазмой: структурные и электрические свойства.Adv Mater Res 970: 136–139

Google ученый

Weiler M, Sattel S, Jung K, Ehrhardt H, Veerasamy VS, Robertson J (1994) Высокотетраэдрический алмазоподобный аморфный гидрогенизированный углерод, полученный из источника плазменного пучка. Appl Phys Lett 64: 2797–2799

CAS Google ученый

Цзо С.С. (2009) Осаждение поликристаллических алмазных пленок CVD с помощью СВЧ-плазмы при более высоких давлениях. Кандидат наук. Диссертация, Университет штата Мичиган.

Феррейра Н.Г., Абрамоф А., Корат Э.Дж., Трава-Аирольди В.Дж. (2003) Остаточное напряжение и кристаллическое качество сильно легированных бором алмазных пленок проанализированы методами микро-рамановской спектроскопии и дифракции рентгеновских лучей. Углерод 41: 1301–1308

CAS Google ученый

Гупта П. (2000) Синтез, структура и свойства нанослойных пленок DLC / DLC. Докторская диссертация, Университет штата Луизиана.

Hu ZG, Prunici P, Hess H, Chen KH (2007) Оптические свойства нанокристаллических алмазных пленок в диапазоне от среднего инфракрасного до ультрафиолетового с использованием рефлектометрии и эллипсометрии. J Mater Sci Mater Electr 18: 37–41

Google ученый

Силлеро Э., Уильямс О.А., Лебедев В., Чималла В., Рёлиг С.С., Небель CR, Калле Ф. (2009) Статическое и динамическое определение механических свойств микроструктур нанокристаллического алмаза. J Micromech Microeng 19: 1–6

Google ученый

Balachandran S, Kusterer J, Maier D, Dipalo M, Weller T, Kohn E (2008) Высокомощный нанокристаллический алмаз RF MEMS — комбинированный взгляд на механические и микроволновые свойства. В: Международная конференция по микроволнам, связи, антеннам и электронным системам, стр. 1–8

Espinosa HD, Prorok BC, Peng B, Kim KH, Moldovan N, Auciello O, Carlisle JA, Gruen DM, Mancini DC (2003 ) Механические свойства тонких ультрананокристаллических алмазных пленок, относящиеся к устройствам MEMS / NEMS.Exp Mech 43: 256–268

CAS Google ученый

Maier F, Riedel M, Mantel B, Ristein J, Ley L (2000) Происхождение поверхностной проводимости в алмазе. Phys Rev Lett 85: 3472–3475

CAS Google ученый

Ristein J, Maier F, Riedel R, Stammer M, Ley L (2001) Эксперименты по поверхностной проводимости алмаза и фотоэлектронная спектроскопия. Diam Relat Mater 10: 416–422

CAS Google ученый

Ristein J, Riedel M, Ley L (2004) Легирование с электрохимическим переносом поверхности.J Electrochem Soc 151: 315–321

Google ученый

Бехраван М. (2005) Электропроводность гетероэпитаксиального алмаза. Докторская диссертация, Университет штата Мичиган.

Холлидей Д., Резник Р., Уокер Дж. (1997) Расширенные основы физики, том 5. Уайли, Хобокен

Google ученый

Пирсон Х.О. (2004) Справочник по углероду, графиту, алмазу и фуллеренам — Свойства Обработка и применение.Уильям Эндрю Паблишинг / Нойес, Вулверхэмптон

Google ученый

Бек С. и Ахмед М. (2004), Алмаз — химически осажденный алмаз из паровой фазы, Azom.

Muto Y, Sugino T, Shirafuji J (1991) Электропроводность в нелегированных алмазных пленках, полученных химическим осаждением из газовой фазы. Appl Phys Lett 59: 843–845

CAS Google ученый

Хуанг Б., Рейнхард Д.К. (1991) Зависимая от электрического поля проводимость тонких пленок поликристаллического алмаза.Appl Phys Lett 59: 1494–1496

CAS Google ученый

Вернер М., Дорш О., Хинце А., Обермайер Е., Хапер Р. Э., Джонстон С., Чалкер П. Р., Бакли-Голдер И. М. (1993) Ток, ограниченный пространственным зарядом, и плотность ловушек в нелегированных алмазных пленках. Diam Relat Mater 13: 825–828

Google ученый

Сугино Т., Муто Й., Ширафуджи Дж., Кобаши К. (1993) Механизмы электропроводности в поликристаллических алмазных пленках, осажденных из паровой фазы.Diam Relat Mater 2: 797–802

CAS Google ученый

Джин С., Мустакас Т.Д. (1993) Исследования электропроводности алмазных пленок, полученных с помощью электронной циклотронной резонансной микроволновой плазмы. Appl Phys Lett 63: 2354–2356

CAS Google ученый

Кулкарни А.К., Шротрия А., Ченг П., Родриго Х., Башьям Р., Кибл Д.Д. (1994) Электрические свойства тонких пленок алмаза, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы.Тонкие твердые пленки 253: 141–145

CAS Google ученый

Кулькарни А.К., Тей К., Родриго Х. (1995) Электрические характеристики тонких пленок CVD-алмаза, выращенных на кремниевых подложках. Тонкие твердые пленки 270: 189–193

CAS Google ученый

De Cesare D, Salvatori S, Vincenzoni R, Ascarelli P, Cappelli E, Pinzari F, Galluzzi F (1995) Об электрических свойствах поликристаллических алмазных пленок на кремнии.Diam Relat Mater 4: 628–631

Google ученый

Сикдер А.К., Джейкоб А.П., Шарда Т., Мисра Д.С., Пандей М., Кабирадж Д., Авасти Д.К. (1998) Электропроводность при постоянном токе химически осажденных из паровой фазы алмазных листов: корреляция с содержанием водорода и парамагнитными дефектами. Тонкие твердые пленки 332: 98–102

CAS Google ученый

Wang L, Xia Y, Ju J, Zhang W (2000) Электрические свойства алмазных пленок химического осаждения из паровой фазы и электрический отклик на рентгеновские лучи.Diam Relat Mater 9: 1617–1620

CAS Google ученый

Lee BJ, Ahn BT, Lee JK, Baik YJ (2001) Исследование пути проводимости в нелегированных поликристаллических алмазных пленках. Diam Relat Mater 10: 2174–2177

CAS Google ученый

Су Кью, Лу Дж., Ван Л., Лю Дж., Руан Дж., Цуй Дж., Ши В., Ся И (2005) Электрические свойства [100] -ориентированной алмазной CVD-пленки.Твердотельный электр. 49: 1044–1048

CAS Google ученый

Correa EJ, Wu Y, Wen J, Chandrasekharan R, Shannon M (2007) Электропроводность в нелегированных ультрананокристаллических тонких пленках алмаза и ее зависимость от химического состава и кристаллической структуры. J Appl Phys 102: 113706-1-113706–10

Google ученый

Стонер Б.Р., Гласс Дж. Т., Бергман Л., Неманич Р. Дж., Золтал Л. Д., Вандерсанде Дж. В. (1992) Электропроводность и фотолюминесценция алмазных пленок, выращенных методом химического осаждения из паровой фазы в микроволновой плазме.J Electron Mater 21: 629–634

CAS Google ученый

Смит К.С. (1954) Эффект пьезосопротивления в германии и кремнии. Phys Rev 94: 42–49

CAS Google ученый

Taher I (1994) CVD-алмазные пьезорезистивные микродатчики. Докторская диссертация, Университет штата Мичиган.

Тахер И., Аслам Д.М., Тамор М.А., Поттер Т.Дж., Элдер Р.К. (1994) Пьезорезистивные микросенсоры с использованием алмазных CVD-пленок p-типа.Актуаторы Sens A 45: 35–43

CAS Google ученый

Fang F, Wang WL, Ding PD, Liao KJ, Wang J (1999) Исследование пьезорезистивного эффекта кристаллического и поликристаллического алмаза при одноосной деформации. J Appl Phys 86: 5186–5193

Google ученый

Мандура М.М., Сарасват К.С., Хелмс К.Р., Каминс Т.И. (1980) Сегрегация примеси в поликристаллическом кремнии.JPN Appl Phys 51: 5755–5763

CAS Google ученый

French PJ, Evans AGR (1984) Пьезорезистентность поликремния. Electr Lett 20: 999–1000

CAS Google ученый

Tang Y, Aslam DM, Wang J, Wise KD (2006) Исследование пьезорезистивных датчиков положения из поликристаллического алмаза для применения в датчике кохлеарного имплантата. Diam Relat Mater 15: 199–202

CAS Google ученый

Морриш А.А., Перссон П.Е. (1991) Влияние предварительной обработки поверхности на зарождение и рост алмазных пленок на различных подложках.Appl Phys Lett 59: 417–419

CAS Google ученый

Demuynck L, Arnault JC, Speisser C, Polini R, LeNormand F (1997) Механизмы зарождения и роста CVD-алмаза на механически поцарапанных и чистых поверхностях Si (100). Diam Relat Mater 6: 235–239 ​​

CAS Google ученый

Денниг П.А., Шиоми Х., Стивенсон Д.А., Джонсон Н.М. (1992) Влияние обработки подложки на зародышеобразование тонкой пленки алмаза.Тонкие твердые пленки 212: 63–67

CAS Google ученый

Биенк Э.Дж., Эскильдсен С.С. (1993) Влияние подготовки поверхности на зародышеобразование алмаза на кремнии. Diam Relat Mater 2: 432–437

CAS Google ученый

Лаутен Ф.С., Шигесато Ю., Шелдон Б.В. (1994) Зарождение алмаза на нецарапанных подложках SiO ₂ . Appl Phys Lett 65: 210–212

CAS Google ученый

Chiang MJ, Hon MH (2001) Положительное зародышеобразование алмаза с усиленным смещением постоянного тока с высокой концентрацией CH ₄ .Diam Relat Mater 10: 1470–1476

CAS Google ученый

Ирвин MD, Pantano CG, Gluche PE, Kohn E (1997) Зарождение алмаза на диоксиде кремния с усилением смещения. Письма по прикладной физике 71: 716–718.

Google ученый

Масуд А., Аслам Д.М., Тамор М.А., Поттер Т.Дж. (1991) Методы нанесения рисунка на CVD-алмазные пленки на неалмазных подложках. J Electrochem Soc 138: L67 – L68

CAS Google ученый

Ян Г.С., Аслам Д.М., Куо К.П., Рейнхард Д.К., Асмуссен Дж. (1995) Влияние сверхвысокой плотности зародышеобразования на рост алмаза при различных скоростях роста и температурах.J Vac Sci Technol, B 13: 1030–1036

CAS Google ученый

Мальше А.П., Бира Р.А., Канолкар А.А., Браун В.Д., Насим Х.А. (1997) Первоначальные результаты нового метода посева перед осаждением для достижения сверхвысокой плотности зародышеобразования для выращивания CVD-алмаза. Diam Relat Mater 6: 430–434

CAS Google ученый

Tang Y (2006) Технология поликристаллического алмаза (PCD) и применение пьезорезистивного датчика для кохлеарного протеза.Докторская диссертация, Университет штата Мичиган.

Бахманн П.К., Леерс Д., Лидтин Х. (1991) К общей концепции химического осаждения алмаза из паровой фазы. Diam Relat Mater 1: 1–12

CAS Google ученый

Харрис С., Мартин Л.Р. (1990) Метил против ацетилена как разновидности роста алмаза. J Mater Res 5: 2313–2319

CAS Google ученый

Спицын Б.В., Попович Г., Прелас М.А. (1993) Проблемы легирования алмазных пленок.В: Yoshikawa M, Murakawa M, Tzeng Y, Yarbrough WA (ред.) 2-я Международная конференция по применению алмазных пленок и родственных материалов. Токио, стр. 57–64.

Gildneblat GSH, Grot SA, Badzian A (1991) Электрические свойства и применение в устройствах гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленок. Proc IEEE 79: 647–667

Google ученый

Сахли С., Аслам Д.М. (1996) Влияние отжига после осаждения на удельное сопротивление поликристаллических алмазных пленок p-типа.Appl Phys Lett 69: 2051–2052

CAS Google ученый

Zhang X, Guo J, Yao Y (1992) Легирование бором алмазных пленок путем испарения B ₂ O ₃ . Физический статус Solidi A 133: 377–383

CAS Google ученый

Руан Дж., Кобаши К., Чойк В.Дж. (1992) Влияние кислорода на легирование бором при химическом осаждении алмаза из паровой фазы, как установлено на основе исследований катодолюминесценции.Appl Phys Lett 60: 1884–1886

CAS Google ученый

Такада Т., Фукунага Т., Хаяши К., Йокота Ю., Тачибана Т., Мията К. и др. (2000) Тонкопленочный сенсор из легированного бором алмаза для обнаружения различных газов производства полупроводников. Датчики Актуаторы A Phys 82: 97–101

CAS Google ученый

Cifre J, Puigdollers J, Polo C, Esteve J (1994) Легирование триметилбором тонких пленок CVD-алмаза.Diam Relat Mater 3: 628–631

CAS Google ученый

Prins JF (1992) Ионная имплантация и алмаз — некоторые недавние результаты по выращиванию и допированию. Тонкие твердые пленки 212: 11–18

CAS Google ученый

Prins JF (2002) Имплантационное легирование алмаза ионами B +, C +, N + и O + с использованием низкотемпературного отжига. Diam Relat Mater 11: 612–617

CAS Google ученый

Калиш Р. (1997) Ионная имплантация в алмазные и алмазные пленки: легирование, эффекты повреждения и их применения.Appl Surf Sci 117: 558–569

Google ученый

Borst TH, Weis O (1996) Гомоэпитаксиальные алмазные слои, легированные бором: изготовление, определение характеристик и электронные приложения. Физический статус Solidi A 154: 423–444

CAS Google ученый

Кон Э., Эберт В., Алексов А., Адамщик М., Шмид П. (2002) Алмазная технология для электроники и обзор состояния и перспектив МЭМС.В: 23-я Международная конференция по микроэлектронике, том 1, стр. 59–66.

Чренко Р.М. (1973) Бор, доминирующий акцептор в полупроводниковом алмазе. Phys Rev B 7: 4560–4567

CAS Google ученый

Вернер М., Джоб Р., Зайцев А., Фарнер В. Р., Зейферт В., Джонсон С., Чалкер П. Р. (1996) Взаимосвязь между удельным сопротивлением и концентрацией легирования бором моно- и поликристаллического алмаза. Физический статус Solidi A 154: 385–393

CAS Google ученый

Borst TH, Weis O (1995) Электрические характеристики гомоэпитаксиальных алмазных пленок, легированных B, P и Na во время роста кристаллов.Diam Relat Mater 4: 948–953

CAS Google ученый

Мальше А.П., Парк Б.С., Браун В.Д., Насим Х.А. (1999) Обзор методов полировки и планаризации алмазных пленок и подложек, осажденных химически из паровой фазы (CVD). Diam Relat Mater 8: 1198–1213

CAS Google ученый

Охаши Х., Исигуро Э., Сасано Т., Шобатаке К. (1996) Травление алмаза с возбуждением синхротронным излучением.Appl Phys Lett 68: 3713–3715

CAS Google ученый

Массод А., Аслам Д.М., Тамор М.А., Поттер Т.Дж. (1991) Методы нанесения рисунка на CVD-алмазные пленки на неалмазной подложке. J Electrochem Soc 138: L67-68

Google ученый

Roppel R, Ramesham R, Lee SY (1992) Тонкопленочные алмазные микроструктуры. Тонкие твердые пленки 212: 56–62

CAS Google ученый

Дэвидсон Дж. Л., Эллис С., Рамешем Р. (1990) Селективное осаждение алмазных пленок.Новый алмаз 6: 29–32

Google ученый

Иноуэ Т., Татибана Т., Кумагаи К., Мията К., Нисимура К., Кобаши К., Накауэ А. (1990) Нанесение алмазных пленок на выбранную площадь. J Appl Phys 67: 7329–7336

CAS Google ученый

Хирабаяси К., Танигучи Ю., Такамацу О., Икеда Т., Икома К., Курихара Н.И. (1988) Селективное осаждение кристаллов алмаза химическим осаждением из газовой фазы с использованием метода вольфрамовой нити.Appl Phys Lett 53: 1815–1817

CAS Google ученый

Шиоми Х., Накахата Х., Имаи Т., Нисибаяси Ю., Фудзимори Н. (1989) Электрические характеристики металлических контактов с эпитаксиальными пленками из легированного бором алмаза. Jpn J Appl Phys 28: 758–862

CAS Google ученый

Грот С.А., Гилденблат Г.С., Вронски К.В., Бадзян А.Р., Бадзиан Т., Мессье Р. (1990) Влияние обработки поверхности на электрические свойства металлических контактов с гомоэпитаксиальной алмазной пленкой, легированной бором.IEEE Electron Device Lett 11: 100–102

CAS Google ученый

Наканиши Дж., Оцуки А., Оку Т. (1994) Формирование омических контактов с алмазом p-типа с использованием карбидообразующих металлов. J Appl Phys 76: 2293–2298

CAS Google ученый

Вернер М., Джонсон С., Чалкер П.Р., Романи С., Бакли-Голдер И.М. (1996) Электрические характеристики омических контактов Al / Si с сильно легированными бором поликристаллическими алмазными пленками.J Appl Phys 79: 2535–2541

CAS Google ученый

Tachibana T, Glass J (1995) Электрические контакты к алмазу. В: Pan LS, Kania DR (eds) Diamond: электронные свойства и приложения. Kluwer Academic Publishers, Norwell

Google ученый

Huang W, Chow TP, Yang J, Butler JE (2005) Высоковольтные алмазные вертикальные выпрямители Шоттки. В кн .: Материалы 17-го международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС.

Вернер М., Дорш О., Бэрвинд Х.У., Обермайер Э., Джонстон С., Чалкер П. Р., Романи Р. (1995) Влияние металлизации на сопротивление омического контакта с сильно легированными В-поликристаллическими алмазными пленками. IEEE Trans Electron Dev 42: 1344–2135

CAS Google ученый

Waytena GL, Hoff HA (1995) Использование системы двойной маски для предотвращения диффузии Ti из омического контакта Ti / Pt / Au на алмазе. J Electrochem Soc 143: 2392–2395

Google ученый

Chen Y, Ogura M, Yamasaki S, Okushi H (2005) Омический контакт на гомоэпитаксиальном алмазе p-типа и их термическая стабильность.Semicond Sci Technol 20: 860–863

CAS Google ученый

Hoff HA, Waytena GL, Vold CL, Suehle JS, Issacson IP, Rebbert ML, Ma DI, Harris K (1996) Омические контакты к полупроводниковому алмазу с использованием схемы трехслойной металлизации Ti / Pt / Au. Diam Relat Mater 5: 1450–1456

CAS Google ученый

Ивасаки Т., Окано К., Мацумаэ Й., Мацусима Е., Маэкава Х., Киёта Х, Куросу Т., Лида М. (1993) Формирование омических контактов на полупроводниковом алмазе, выращенном методом химического осаждения из газовой фазы.Diam Relat Mater 3: 30–34

Google ученый

Venkatesan V, Malta DM, Das K, Belu AM (1993) Оценка омических контактов, образованных имплантацией B ⁺ и металлизацией Ti-Au на алмазе. J Appl Phys 74: 1179–1187

CAS Google ученый

Tang Y, Aslam DM (2006) Формирование низкоомного контакта между титаном и слаболегированным поликристаллическим алмазом с использованием высоколегированного промежуточного слоя.Diam Relat Mater 15: 1958–1961

CAS Google ученый

Вернер М. (2003) Алмазная металлизация для устройств. Semicond Sci Technol 18: 41–46

Google ученый

Мори Й., Каварада Х., Хираки А. (1991) Свойства границ раздела металл-алмаз и эффекты кислорода, адсорбированного на поверхности алмаза. Appl Phys Lett 58: 940–941

CAS Google ученый

Бауман П.К., Неманич Р.Дж. (1998) Сродство к электрону и высота барьера Шоттки на границах раздела металл-алмаз (100), (111) и (110).J Appl Phys 83: 2072–2082

CAS Google ученый

Efremow NN, Geis MW, Flanders DC (1985) Ионно-лучевое травление алмаза. J Vac Sci Technol B3 (1): 416–418

Google ученый

Leech PW, Ривз Г.К., Холланд А.С., Шанкс Ф. (2002) Ионно-лучевое травление алмазной пленки CVD в газовых смесях Ar, Ar / O ₂ и Ar / CF ₄ . Diam Relat Mater 11: 833–836

CAS Google ученый

Sandhu GS, Chu WK (1989) Реактивное ионное травление алмаза.Appl Phys Lett 55: 437–438

CAS Google ученый

Дорш О., Вернер М., Обермайер Э. (1995) Сухое травление нелегированных и легированных бором поликристаллических алмазных пленок. Diam Relat Mater 4: 456–459

CAS Google ученый

Vivensang C, Ferlazzo-Manin L, Ravet MF (1996) Сглаживание поверхности алмазных мембран с помощью процесса реактивного ионного травления. Diam Relat Mater 5: 840–844

CAS Google ученый

Gopi MR, Sirineni NHA, Malshe AP, Brown WD (1997) Реактивное ионное травление алмаза как средство повышения эффективности механической полировки с химическим воздействием.Diam Relat Mater 6: 952–958

Google ученый

Shiomi H (1997) Реактивное ионное травление алмаза в плазме O ₂ и CF ₄ и изготовление пористого алмаза для катодов полевого эмиттера. Jpn J Appl Phys 36: 7745–7748

CAS Google ученый

Байк Е.С., Байк Ю.Дж. (2000) Выровненные алмазные нановискеры. J Mater Res 15: 923–926

CAS Google ученый

Байк Е.С., Байк Ю.Дж., Ли С.В., Чон Д. (2000) Изготовление алмазных нано-усов.Тонкие твердые пленки 377–378: 295–298

Google ученый

Байк Е.С., Байк Ю.Дж., Чон Д. (2000) Управление геометрией алмазного микронаконечника для полевого эмиттера. Тонкие твердые пленки 377–378: 299–302

Google ученый

Shibata T, Kitamoto Y, Unno K, Makino E (2000) Микрообработка алмазной пленки для приложений MEMS. J Microelectromech Syst 9 (1): 47–51

CAS Google ученый

Otterbach R, Hilleringmann U, Goser K (2000) Реактивное ионное травление CVD-алмаза для сенсорных устройств с размером элемента Al 100 нм.Ind Electr Soc Conf 3: 1873–1877

Google ученый

Nishibayashi Y, Ando Y, Saito H, Imai T., Hirao T, Oura K (2001) Анизотропное травление тонкого столбика на монокристаллическом алмазе. Diam Relat Mater 10: 1732–1735

CAS Google ученый

Leech PW, Reeves GK, Holland A (2001) Реактивное ионное травление алмаза в CF ₄ , O ₂ , O ₂ и смесях на основе Ar.J Mater Sci 36 (14): 3453–3459. https://doi.org/10.1023/A:1017964129419

CAS Google ученый

Fu Y, Du H, Miao J (2003) Создание рисунка алмазных микроструктур на подложке Si путем объемной и поверхностной микрообработки. J Mater Process Technol 132: 73–81

CAS Google ученый

Wang X, Hong GD, Zhang J, Lin BL, Gong HQ, Wang WY (2002) Точное моделирование алмазных пленок для приложений MEMS.J Mater Process Technol 127: 230–233

CAS Google ученый

Ando Y, Nishibayashi Y, Kobashi K, Hirao T, Oura K (2002) Гладкое и высокоскоростное реактивное ионное травление алмаза. Diam Relat Mater 11: 824–827

CAS Google ученый

Ando Y, Nishibayashi Y, Sawabe A (2004) Наностержни монокристаллического алмаза. Diam Relat Mater 13: 633–637

CAS Google ученый

Li CY, Hatta A (2006) Влияние металлического покрытия на образование алмазных усов в плазме O ₂ RF.Diam Relat Mater 15: 357–360

CAS Google ученый

Ding G, Mao H, Cai Y, Zhang Y, Yao X, Zhao XL (2005) Микрообработка CVD-алмаза RIE для приложений MEMS. Diam Relat Mater 14: 1543–1548

CAS Google ученый

Li CY, Hatta A (2005) Получение алмазных усов с использованием Ar, O ₂ плазменное травление. Diam Relat Mater 14: 1780–1783

CAS Google ученый

Li CY, Hatta A (2007) Формирование нано-усов с помощью радиочастоты Ar / O ₂ плазменное травление алмазных пленок с алюминиевым покрытием.Тонкие проданные пленки 515: 4172–4176

CAS Google ученый

Stoikou MD, John P, Wilson JI (2008) Необычная морфология поверхности CVD-алмаза после RIE. Diam Relat Mater 17: 1164–1168

CAS Google ученый

Grot S, Gildenblat G, Badzian A (1992) Тонкопленочные алмазные полевые транзисторы с утопленным затвором, изготовленные методом электронного циклотронного резонансного плазменного травления.IEEE Electron Device Lett 13: 462–464

CAS Google ученый

Pearton SJ, Katz A, Ren F, Lothian JR (1992) ЭЦР плазменное травление химически осажденных из паровой фазы тонких пленок алмаза. Electr Lett 28: 822–824

CAS Google ученый

Грот С.А., Дитизио Р.А., Гилденблат Г.С., Бадзиан А.Р., Фонаш С.Дж. (1992) Электронно-циклотронное резонансное травление полупроводниковых гомоэпитаксиальных алмазных пленок на основе кислорода.Appl Phys Lett 61: 2326–2328

CAS Google ученый

Киахара С., Яги Ю., Мори К.И. (1999) Плазменное травление CVD-алмазных пленок с использованием источника кислорода ЭЦР. Нанотехнологии 10: 385–388

Google ученый

Bernard M, Deneuville A, Lagarde T, Treboux E, Pelletier J, Muret P, Casanova N, Gheeraert E (2002) Травление легированного нанокристаллического алмаза p- и n-типа с использованием источника кислородной плазмы ECR.Diam Relat Mater 11: 828–832

CAS Google ученый

Бернар М., Деневиль А., Ортега Л., Аяди К., Мюре П. (2004) Электронно-циклотронное резонансное кислородное плазменное травление алмаза. Diam Relat Mater 13: 287–291

CAS Google ученый

Тран Д.Т., Гротджон Т.А., Рейнхард Д.К., Асмуссен Дж. (2008) Травление алмаза с помощью микроволновой плазмы. Diam Relat Mater 17: 717–721

CAS Google ученый

Хван Д.С., Сайто Т., Фухимори Н. (2004) Новый процесс травления для изготовления устройств с использованием алмаза.Diam Relat Mater 13: 2207–2210

CAS Google ученый

Энлунд Дж., Исберг Дж., Карлссон М., Николаев Ф., Олссон Дж., Твитчен Д. (2005) Анизотропное сухое травление монокристаллического CVD-алмаза, легированного бором. Углерод 43: 1839–1842

CAS Google ученый

Ямада Т., Йошикава Х., Уэцука Х., Кумарагурубаран С., Токуда Х., Шиката С. (2007) Цикл двухэтапного процесса травления с использованием ICP для алмазных МЭМС-приложений.Diam Relat Mater 16: 996–999

CAS Google ученый

Uetsuka H, ​​Yamada T, Shikata S (2008) ICP травление поликристаллических алмазов: изготовление алмазных наноразмеров для кантилеверов AFM. Diam Relat Mater 17: 728–731

CAS Google ученый

Chapman B (1980) Процессы тлеющего разряда. Wiley, New York, p P38

. Google ученый

Цао З., Аслам Д.М. (2008) Технология изготовления одноматериальных МЭМС с использованием поликристаллического алмаза.Diam Relat Mater 19: 1263–1272

Google ученый

Виндишманн Х., Гленн Эппс Ф., Конг Й., Коллинз Р.В. (1991) Внутреннее напряжение в алмазных пленках, полученных методом микроволнового плазменного химического осаждения из паровой фазы. J Appl Phys 69: 2231–2237

CAS Google ученый

Chiu C, Liou Y, Juang Y (1995) Модуль упругости и остаточные напряжения в алмазных пленках. Тонкие твердые пленки 260: 118–123

CAS Google ученый

Ким Дж., Ю Дж. (1998) Сравнительное исследование методов измерения остаточных напряжений на алмазных пленках, полученных методом химического осаждения из газовой фазы.Scripta Mater 39: 807–814

CAS Google ученый

Jeong JH, Kwon D, Lee WS, Baik YJ (2001) Собственное напряжение в алмазных пленках, осажденных из газовой фазы: аналитическая модель пластической деформации подложки Si. J Appl Phys 90: 1227–1236

CAS Google ученый

Шелдон Б.В., Лау К.Х., Раджамани А. (2001) Собственное напряжение, островковая коалесценция и шероховатость поверхности во время роста поликристаллических пленок.J Appl Phys 90: 5097–5103

CAS Google ученый

Kuo CT, Lin CR, Lien HM (1996) Истоки остаточного напряжения в алмазных пленках CVD. Тонкие твердые пленки 290–291: 254–259

Google ученый

Durand O, Bisaro R, Brierley CJ, Galtier P, Kennedy GR, Krüger JK, Olivier J (2000) Остаточные напряжения в свободных алмазных пленках химического осаждения из газовой фазы с помощью рентгеноструктурного анализа.Mater Sci Eng A 228: 217–222

Google ученый

Феррейра Н.Г., Абрамоф Э., Корат Э.Дж., Лейте Н.Ф., Трава-Аирольди В.Дж. (2001) Исследование напряжений алмазных пленок HFCVD, легированных бором, с помощью измерений дифракции рентгеновских лучей. Diam Relat Mater 10: 750–754

CAS Google ученый

Феррейра Н.Г., Абрамоф Э., Лейте Н.Ф., Корат Э.Дж., Трава-Аирольди В.Дж. (2002) Анализ остаточных напряжений в алмазной пленке с помощью дифракции рентгеновских лучей и микро-рамановской спектроскопии.J Appl Phys 91: 2466–2472

CAS Google ученый

Fu Y, Du H, Sun CQ (2003) Межфазная структура, остаточное напряжение и адгезия алмазных покрытий, нанесенных на титан. Тонкие твердые пленки 424: 107–114

CAS Google ученый

Феррейра Н.Г., Абрамоф Э., Корат Э.Дж., Трава-Аирольди В.Дж. (2003) Остаточные напряжения и кристаллическое качество сильно легированных бором алмазных пленок проанализированы методами микро-рамановской спектроскопии и дифракции рентгеновских лучей.Углерод 41: 1301–1308

CAS Google ученый

Чоудхури С., Лаугье М.Т., Генри Дж. (2007) Анализ напряжений XRD для CVD-алмазных покрытий на подложках SiC. Int J Refract Metal Hard Mater 25: 39–45

CAS Google ученый

Мао В., Чжу Х., Чен Л., Фэн Х. (2008) Связь между текстурой и остаточной макродеформацией в алмазных пленках CVD на основе феноменологического анализа.Журнал Университета науки и технологий, Пекин, 15: 197–201

CAS Google ученый

Лю Т., Пинто Х., Брито П., Сэйлз Л.А., Раабе Д. (2009) Анализ остаточных напряжений в алмазных пленках химического осаждения из паровой фазы. Appl Phys Lett 94: 201902

Google ученый

Ван В.Л., Поло М.К., Санчес Дж., Сифре Дж., Эстев Дж. (1996) Внутреннее напряжение и деформация в сильно легированных бором алмазных пленках, выращенных с помощью микроволновой плазмы и химического осаждения из газовой фазы горячей нитью.J Appl Phys 80: 1846–1850

CAS Google ученый

Haouni A, Mermoux M, Marcus B, Abello L, Lucazeau G (1999) Конфокальное рамановское изображение для анализа CVD-алмазных пленок. Diam Relat Mater 8: 657–662

CAS Google ученый

Chen KH, Lai YL, Lin JC, Song KJ, Chen LC, Huang CY (1995) Micro-Raman для анализа напряжений алмазной пленки. Diam Relat Mater 4: 460–463

CAS Google ученый

Michler J, Mermoux M, von Kaenel Y, Haouni A, Lucazeau G, Blank E (1999) Остаточное напряжение в алмазных пленках: происхождение и моделирование.Тонкие твердые пленки 357: 189–201

CAS Google ученый

Fan QH, Grácio J, Pereira E (2000) Оценка остаточных напряжений в алмазных пленках, нанесенных химическим осаждением из паровой фазы. J Appl Phys 87: 2880–2884

CAS Google ученый

Fan QH, Grácio J, Pereira E (2000) Остаточные напряжения в алмазных пленках, осажденных из газовой фазы. Diam Relat Mater 9: 1739–1743

CAS Google ученый

Стюарт С.А., Правер С., Вайзер П.С. (1993) Зависимость от сектора роста найденной структуры в рамановской линии алмаза первого порядка из больших изолированных кристаллов алмаза, осажденных из газовой фазы.Appl Phys Lett 62: 1227–1279

CAS Google ученый

Кэтледж С.А., Борхам Дж., Вохра Ю.К., Ласфилд В.Р., Лемонс Дж.Э. (2002) Исследования твердости и адгезии наноструктурированных алмазных пленок, осажденных из паровой фазы. J Appl Phys 91: 5347–5352

CAS Google ученый

Toprani N, Catledge SA, Vohra YK, Thompson R (2000) Межфазная адгезия и прочность наноструктурированных алмазных покрытий.J Mater Res 15: 1052–1055

CAS Google ученый

Fu Y, Yan B, Loh NL (2000) Влияние предварительной обработки и прослоек на зарождение и рост алмазных покрытий на титановых подложках. Surf Coat Technol 30: 173–185

Google ученый

Райт Дж. К., Уильямсон Р. Л., Мэггс К. Дж. (1994) Конечноэлементный анализ эффективности прослоек в снижении термических остаточных напряжений в алмазных пленках.Mater Sci Technol 187: 87–96

Google ученый

Bruton E (1970) Бриллианты. NAG, Лондон

Google ученый

Йошикава М. (1990) Разработка и эксплуатация устройства для полировки алмазной пленки горячими металлами. Proc SPIE Diamond Opt 3: 1325

Google ученый

Raju GS (1994) Механическая полировка и выравнивание с помощью химикатов алмазных подложек CVD для нанесения MCM.M.S.E.E. Диссертация, Библиотека Университета Арканзаса, Фейетвилл, Арканзас

Озкан А.П., Малше А.П., Браун В.Д. (1997) Последовательная полировка с помощью нескольких лазеров отдельно стоящих подложек из CVD-алмаза. Diam Relat Mater 6: 1789–1798

CAS Google ученый

Хирата А., Токура Х., Йошигава М. (1992) Сглаживание химически осажденных из паровой фазы алмазных пленок облучением ионным пучком. Тонкие твердые пленки 212: 43–48

CAS Google ученый

Санду Г.С., Чу В.К. (1989) Реактивное ионное травление алмаза.Appl Phys Lett 55 (5): 437–438

Google ученый

Хариш М., Ботель Д.М. (1992) Протоколы SPIE. Diamond Opt 3: 1759

Google ученый

Feng Z, Tzeng Y, Field JE (1992) Удар твердых частиц алмазных пленок CVD. Тонкие твердые пленки 212: 35–42

CAS Google ученый

Мальше А.П., Браун В.Д., Насим Х.А., Шапер И.В. (1995) Способы планаризации поликристаллических алмазов, планаризованный поликристаллический алмаз и изделия из них.Патент США 5,472,370.

Сепульведа Н. (2005) Технология и характеристика поликристаллических алмазных РЧ-МЭМС-резонаторов. Докторская диссертация, Университет штата Мичиган.

Бенедик Ф., Ассуар М.Б., Мохассеб Ф., Эльмазрия О., Алнот П., Гиккель А. (2004) Устройства на основе поверхностных акустических волн на основе нанокристаллического алмаза и нитрида алюминия. Diam Relat Mater 13: 347–353

Google ученый

Кирш П., Ассур М.Б., Эльмазрия О., Мортет В., Алнот П. (2006) Устройства на поверхностных акустических волнах с частотой 5 ГГц на основе слоистой структуры нитрида алюминия / алмаза, реализованной с помощью электронно-лучевой литографии.Appl Phys Lett 88: 223504-1-223504–3

Google ученый

Эльмазрия О., Бенедик Ф., Хакики М.Э., Мубчир Х., Ассуар М.Б., Сильва Ф. (2006) Нанокристаллические алмазные пленки для устройств с поверхностными акустическими волнами. Diam Relat Mater 15: 193–198

CAS Google ученый

Bénédic F, Assouar MB, Kirsch P, Monéger D, Brinza O, Elmazria O, Alnot P, Gicquel A (2008) Очень высокочастотные устройства на ПАВ на основе нанокристаллического алмаза и слоистой структуры нитрида алюминия, достигаемой с помощью электронного луча литография.Diam Relat Mater 17: 804–808

Google ученый

Seo SH, Shin WC, Park JS (2002) Новый метод изготовления многослойных слоев ZnO / алмаз / Si для устройств на поверхностных акустических волнах (SAW). Тонкие твердые пленки 416: 190–196

CAS Google ученый

Ламара Т., Белмахи М., Эльмазрия О., Бризуаль Л.Л., Бугдира Дж., Реми М., Алнот П. (2004) Отдельно стоящий CVD-алмаз, полученный с помощью импульсной микроволновой плазмы для устройств ZnO / Diamond SAW.Diam Relat Mater 13: 581–584

CAS Google ученый

Shih WC, Wang MJ, Lin LN (2008) Характеристики тонкопленочных устройств для поверхностных акустических волн из ZnO, изготовленных с использованием нанокристаллической алмазной пленки на кремниевых подложках. Diam Relat Mater 17: 390–395

CAS Google ученый

Uemura T, Fujii S, Kitabayashi H, Itakura K, Hachigo A, Nakahata H, Shikata S, Ishibashi K, Imai T (2002) Устройства поверхностных акустических волн с низкими потерями на основе мелкозернистого поликристаллического алмаза .JPN J Appl Phys 41: 3476–3479

CAS Google ученый

Аслам Д.М., Тахер И., Масуд А. (1992) Пьезорезистивность в осажденных из паровой фазы алмазных пленках. Appl Phys Lett 60: 2923–2925

CAS Google ученый

Wur DR, Davidson JL (1993) Пьезорезистивность поликристаллических алмазных пленок. Mater Res Soc Symp Proc 283: 879

CAS Google ученый

Dorsch O, Holzner K, Werner M, Obermeier E, Harper RE, Johnston C, Chalker PR, Buckley-Golder IM (1993) Пьезорезистивный эффект в тонких пленках алмаза, легированного бором.Diam Relat Mater 2: 1096–1099

CAS Google ученый

Ванлу В., Кеджун Л. (1994) Пьезрезистивный эффект алмазных пленок, полученных с помощью плазменного CVD на постоянном токе. Chin Phys Lett 11: 589–592

Google ученый

Дегучи М., Хасе Н., Китабатаке М., Котера Х, Шима С., Сакакима Х. (1996) Пьезорезистивные свойства CVD-алмазных пленок p-типа. Diam Films Technol 6:77

CAS Google ученый

Дегучи М., Китабатаке М., Хирао Т. (1996) Пьезорезистивные свойства химически осажденных из паровой фазы алмазных тензодатчиков p-типа, изготовленных на мембранной конструкции.Diam Relat Mater 5: 728–731

CAS Google ученый

Deguchi M, Hase N, Kitabatake M, Kotera H, Shima S, Kitagawa M (1997) Пьезорезистивные свойства CVD-алмазных пленок. Diam Relat Mater 6: 367–373

Google ученый

Бойко Ю., Гонон П., Правер С., Джеймисон Д. Н. (1997) Пьезорезистивность легированных бором алмазных CVD-пленок. Mater Sci Eng B 46: 112–114

Google ученый

Wang WL, Jiang X, Taube K, Klages CP (1997) Пьезорезистивность поликристаллических алмазных пленок типа p с разным уровнем легирования при разных температурах.J Appl Phys 82: 729–732

CAS Google ученый

Сахли С., Аслам Д.М. (1998) Сверхчувствительные полиалмазные пьезорезисторы внутри зерна. Датчики Актуаторы A 71: 193–197

CAS Google ученый

Fang L, Wang WL, Ding PD, Liao KJ, Wang J (1999) Исследование пьезорезистивного эффекта кристаллического и поликристаллического алмаза при одноосной деформации.J Appl Phys 86: 5185–5193

CAS Google ученый

Adamschik M, Müller R, Gluche P, Flöter A, Limmer W., Sauer R, Kohm E (2001) Анализ пьезорезистивных свойств CVD-алмазных пленок на кремнии. Diam Relat Mater 10: 1670–1675

CAS Google ученый

Ямамото А., Цуцумото Т. (2004) Пьезорезистивный эффект CVD поликристаллических алмазных пленок.Diam Relat Mater 13: 863–866

CAS Google ученый

Ямамото А., Норио Н., Такахиро Т. (2007) Оценка коэффициента толщины алмазов до 500 ° C . Diam Relat Mater 16: 1670–1675

CAS Google ученый

Кульха П., Кромка А., Бабченко О., Ванецек М., Хусак М., Уильямс О. А., Хенен К. (2010) Пьезорезистивный датчик с нанокристаллическим алмазом.Вакуум 84: 53–56

Google ученый

Werner M, Dorsch O, Obermeier E (1995) Высокотемпературный датчик давления с использованием алмазных пьезорезисторов p-типа. Diam Relat Mater 4: 873–876

CAS Google ученый

Wur DR, Davidson JL, Kang WP, Kinser DL (1995) Датчик давления из поликристаллического алмаза. J Microelectromech Syst 4: 34–41

CAS Google ученый

Сахли С., Аслам Д.М. (1995) Микросенсоры давления с использованием алмазных пленок p-типа.В: 8-я международная конференция по твердотельным датчикам и исполнительным механизмам, Швеция, стр. 592–595

Дэвидсон Дж. Л., Вур Д. Р., Канг В. П., Кинзер Д. Л., Кернс Д. В. (1996) Поликристаллический алмазный микродатчик давления. Diam Relat Mater 5: 86–92

CAS Google ученый

Ямамото А., Навачи Н., Цуцумото Т., Тераяма А. (2005) Датчик давления с использованием пьезорезисторов из поликристаллического алмаза p-типа. Diam Relat Mater 14: 657–660

CAS Google ученый

Лу Дж., Цао З., Аслам Д.М., Сепульведа Н., Салливан Дж. П. (2008) Алмазные микро- и нанорезонаторы, использующие лазерное, емкостное или пьезорезистивное обнаружение.В: 3-я Международная конференция IEEE по нано / микротехническим и молекулярным системам, Санья, стр. 873–876.

Cao Z, Aslam DM (2009) Технология пьезорезистивных датчиков для RFMEMS с использованием поликристаллического алмаза p-типа. В: Конференция по нанотехнологическим материалам и устройствам IEEE, Траверс-Сити, стр. 190–195

Tibrewala A, Peiner E, Bandorf R, Biehl S, Lüthje H (2006) Пьезорезистивный калибровочный коэффициент гидрогенизированных аморфных углеродных пленок. J Micromech Microeng 16: 75–81

Google ученый

Peiner E, Tibrewala A, Bandorf R, Biehl S, Lüthje H, Doering L (2006) Микродатчик силы с пьезорезистивным тензодатчиком из аморфного углерода.Датчики Приводы A 130–131: 75–82

Google ученый

Tibrewala A, Peiner E, Bandorf R, Biehl S, Lüthje H (2007) Продольный и поперечный пьезорезистивный эффект в пленках гидрированного аморфного углерода. Тонкие сплошные пленки 515: 8028–8033

CAS Google ученый

Tibrewala A, Peiner E, Bandorf R, Beihl S, Lüthje H (2007) Пьезорезистивный эффект в алмазоподобных углеродных пленках.J Micromech Microeng 17: 77–82

Google ученый

Мешкинис С., Гудайтис Р., Копустинскас В., Тамулявичюс С. (2008) Электрические и пьезорезистивные свойства DLC-пленок, осажденных ионным пучком. Appl Surf Sci 254: 5252–5256

Google ученый

Канг В.П., Гурбуз Ю., Дэвидсон Дж. Л., Кернс Д. В. (1994) Новый датчик водорода с использованием диода Шоттки на основе поликристаллического алмаза.J Electrochem Soc 141: 2231–2234

CAS Google ученый

Гурбуз Ю., Канг В.П., Дэвидсон Дж.Л., Кинсер Д.Л., Кернс Д.В. (1996) Датчики газа Diamond Microelectronics. Датчики Приводы B 33: 100–104

CAS Google ученый

Канг В.П., Гурбуз Ю., Дэвидсон Дж. Л., Кернс Д. В. (1995) Датчик водорода на основе тонкой пленки из поликристаллического алмаза. Датчики Приводы B 24–25: 421–425

Google ученый

Balducci A, D’Amico A, Natale CD, Marinelli M, Milani E, Morgada ME, Pucella G, Rodriguez G, Tucciarone A, Verona-Rinati G (2005) Высокоэффективная термопара на основе CVD-алмаза для обнаружение газа.Датчики Приводы B 111–112: 102–105

Google ученый

Гурбуз Ю., Канг В.П., Дэвидсон Дж.Л., Кернс Д.В. (2004) Алмазный микроэлектронный датчик газа для обнаружения бензола и толуола. Датчики Приводы B 99: 207–215

CAS Google ученый

Гурбуз И., Канг В.П., Дэвидсон Дж. Л., Кернс Д. В. (1996) Новый датчик газообразного кислорода, использующий тонкопленочный алмазный диод с катализированным электродом из оксида олова.Датчики Приводы B 35–36: 303–307

Google ученый

Gurbuz Y, Kang WP, Davidson JL, Kinser DL (1998) Устойчивый к высоким температурам микроэлектронный датчик кислорода на основе алмаза. Датчики Приводы B 49: 115–120

CAS Google ученый

Helwig A, Müller G, Garrido JA, Eickhoff M (2008) Газоочувствительные свойства алмаза с водородной цепью. Датчики Приводы B 133: 156–165

CAS Google ученый

Salvatori S, Pace E, Rossi MC, Galluzzi F (1997) Фотоэлектрические характеристики алмазных УФ-детекторов: зависимость от конструкции устройства и качества пленки.Diam Relat Mater 6: 361–366

CAS Google ученый

Pace E, Di Benedetto R, Scuderi S (2000) Для стабильных, слепых и высокочувствительных CVD-алмазных УФ-фотоприемников для лабораторных и космических приложений. Diam Relat Mater 9: 987–993

CAS Google ученый

Hochedez J-F, Verwichte E, Bergonzo P, Guizard B, Mer C, Tromson D, Sacchi M, Dhez P, Hainaut O, Lemaire P, Vial J-C (2000) Будущие алмазные УФ-сканеры для физики Солнца.Физический статус Solidi A 181: 141–149

CAS Google ученый

Hochedez JF, Bergonzo P, Castex MC, Dhez P, Hainaut O, Sacchi M, Alvarez JK, Boyer H, Deneuville A, Gibart P, Guizard B, Kleider JP, Lemaire P, Mer C, Monroy E, Муньос Э., Мюрет П., Омнес Ф., Пау Дж. Л., Ральченко В., Тромсон Д., Вериджте Э., Фиал Дж. К. (2001) Алмазные УФ-детекторы для будущих миссий по физике Солнца. Diam Relat Mater 10: 673–680

CAS Google ученый

Salvatori S, Della Scala A, Rossi MC, Conte G (1990) Оптимизированные контактные структуры для УФ-детекторов металл-алмаз-металл.Diam Relat Mater 11: 458–462

Google ученый

Каниа Д.Р., Пан Л., Корнблюм Х, Белл П., Ланден О.Н., Пианетта П. (1990) Детектирование мягкого рентгеновского излучения с помощью алмазных фотопроводящих детекторов. Rev Sci Instrum 61: 2765–2767

Google ученый

Conte G, Rossi MC, Salvatori S, Ascarelli P, Trucchi D (2004) Тонкий поликристаллический алмаз для обнаружения низкоэнергетических рентгеновских лучей.J Appl Phys 96: 6415–6420

CAS Google ученый

Ван Л., Лю Дж., Сюй Р., Пэн Х, Ши Х, Ся И (2007) Нанокристаллическая алмазная пленка CVD в качестве детектора рентгеновского излучения. Semicond Sci Technol 22: 128–131

Google ученый

Хассон Д., Бауэр С., Бауманн И., Колледани К., Конвей Дж., Дельпьер П., Джама Ф, Дулински В., Эдвардс М., Фаллоу А., Ган К. К., Гилмор Р. С., Григорьев Е., Хейлвелл Г., Хан С., Hessing T, Hrubec J, Kagan H, Kania D, Kass R, Knoepfle KT, Krammer M, Llewellyn TJ, Manfredi PF, Meier D, Pan LS, Pernegger H, Pernicka M, Re V, Roe VS, Roff D, Rudge A , Schnetzer S, Speziall V, Stone R, Trapper AJ, Tesarek R, Trischuk W, Turchetta R, Thomson GB, Weilhammer P, Zioch H, Zoeller M (1997) Нейтронное облучение образцов CVD-алмаза для отслеживающих детекторов.Ядерные инструментальные методы Phys Res A 388: 421–426

CAS Google ученый

Schmid GJ, Koch JA, Lerche RA, Moran MJ (2004) Датчик нейтронов на основе монокристаллического CVD-алмаза. Ядерные инструментальные методы Phys Res A 527: 554–561

CAS Google ученый

Bergonzo P, Foulon F, Marshall RD, Jany C, Brambilla A, McKeag RD, Jackman RB (1999) Тонкопленочные алмазные альфа-детекторы для дозиметрических приложений.Diam Relat Mater 8: 952–955

CAS Google ученый

Джуди Д.К., Блэкберн Дж., Меркель Дж., Флитвуд Р.М., Вайденхаймер Д.М., Дженкинс Б., Горбикс С.Г., Перейра Н.Р. (1996) Измерения плотности энергии и потока протонных пучков с использованием дифференциально фильтрованных алмазных детекторов и радиахромной пленки. IEEE Trans Nucl Sci 43: 2701–2708

CAS Google ученый

Cholewa M, Kamiya T, Saint A, Prawer S, Legge O, Butler JE, Vestyck DJ (1998) Алмазные мембраны: приложения для обнаружения одиночных ионов с использованием вторичной электронной эмиссии.Diam Relat Mater 7: 510–512

CAS Google ученый

Kamiya T, Cholewa M, Saint A, Prawer S, Legge GJF (2007) Вторичная электронная эмиссия из легированного бором алмаза под ионным ударом: приложения в детектировании одиночных ионов. Appl Phys Lett 71: 1875–1877

Google ученый

Berdermann E, Blasche K, Moritz P, Stelzer H, Voss B (2001) Использование CVD-алмаза для обнаружения тяжелых ионов.Diam Relat Mater 10: 1770–1777

CAS Google ученый

Mainwood A (2000) Тематический обзор последних разработок алмазных детекторов частиц и УФ-излучения. Semicond Sci Technol 15: 55–63

Google ученый

Хан С., Вагнер Р.С. (1996) Эффекты границ зерен на перенос носителей в нелегированном поликристаллическом алмазе, осажденном из газовой фазы. Appl Phys Lett 68: 3016–3018

CAS Google ученый

Канг В.П., Дэвидсон Дж.Л., Вонг Ю.М., Холмс К. (2004) Алмазные вакуумные автоэмиссионные устройства.Diam Relat Mater 13: 975–981

CAS Google ученый

Subramanian K, Kang WP, Davidson JL, Hofmeister WH, Choi BK, Howell M (2005) Планарный боковой автоэмиссионный диод с наноалмазами. Diam Relat Mater 14: 2099–2014

CAS Google ученый

Subramanian K, Kang WP, Davidson JL, Jarvis JD, Hofmeister WH, Choi BK, Howell M (2006) Улучшение геометрического поля на наноалмазной пленке с микрорельефом для эмиссии электронов.Diam Relat Mater 15: 417–425

CAS Google ученый

Subramanian K, Kang WP, Davidson JL, Choi BK, Howell M (2006) Автоэмиссионный диод с боковой гребенчатой ​​решеткой из наноалмазов для сильноточных приложений. Diam Relat Mater 15: 1994–1997

CAS Google ученый

Субраманиан К., Канг В.П., Дэвидсон Дж.Л., Вонг Ю.М., Чой Б.К. (2007) Изготовление полевого диода с боковой эмиссией из нанокристаллического алмаза методом двойного микрорельефа.Diam Relat Mater 16: 1408–1412

CAS Google ученый

Subramanian K, Wong YM, Kang WP, Davidson JL, Choi BK, Howell M (2007) Полевые эмиссионные устройства для передовой электроники, состоящие из эмиттеров с боковыми наноалмазами или углеродными нанотрубками. Diam Relat Mater 16: 1997–2002

CAS Google ученый

Субраманиан К., Канг В.П., Дэвидсон Дж.Л., Хауэлл М. (2008) Устройства с боковым полевым эмиттером из наноалмазов на толстых изоляционных подложках для надежных мощных приложений.Diam Relat Mater 17: 786–789

CAS Google ученый

Liou YL, Liou J-C, Huang J-H, Tai NH, Lin I-N (2008) Изготовление и автоэмиссионные свойства ультрананокристаллических боковых излучателей алмаза. Diam Relat Mater 17: 776–781

CAS Google ученый

Xu NS, She JC, Huq SE, Chen J, Deng SZ, Chen J (2001) Микротехнология и характеристика источников электронов с затворной аморфной эмиссией на основе аморфного алмаза.Ультрамикроскопия 89: 111–118

CAS Google ученый

Chen C-F, Hsieh H-C (2000) Влияние тока эмиссии на стробируемую структуру и морфологию алмазного эмиттера в полевых эмиссионных массивах триодного типа. Diam Relat Mater 9: 1257–1262

CAS Google ученый

Chen C-F, Tsai C-L, Lin C-L (2001) Изготовление и определение характеристик легированных фосфором алмазных полевых эмиттеров в решетках автоэлектронной эмиссии триодного типа.Diam Relat Mater 10: 834–839

CAS Google ученый

Квон С.Дж., Шин Ю.Х. (1998) Автоэмиссионные свойства поликристаллической алмазной пленки, полученной с помощью плазменного химического осаждения из паровой фазы с помощью микроволнового излучения. J Vac Sci Technol, B 16: 712–715

CAS Google ученый

Хонг Д., Аслам Д.М. (1999) Ячейки с полевым эмиттером с полиалмазным затвором. IEEE Trans Electron Devices 46: 787–791

CAS Google ученый

Nguyen CT-C (2008) Встроенные микромеханические радиоволны.В: Международный симпозиум по технологии, системам и приложениям СБИС, стр. 3-4

Ван К., Вонг A-C, Нгуен CT-C (2000) УКВ-свободнопучковые микромеханические резонаторы с высокой добротностью. J Microelectromech Syst 9: 347–360

Google ученый

Wang J, Ren Z, Nguyen CT-C (2004) Самовыравнивающийся вибрационный микромеханический дисковый резонатор с частотой 1,156 ГГц. IEEE Trans Ultrason Ferroelectr Freq Control 51: 1607–1628

Google ученый

Се И, Ли С, Лин И, Рен З, Кларк Т., Нгуен CT-C (2008) 1.Микромеханические объемные кольцевые резонаторы типа бокал с частотой 52 ГГц. IEEE Trans Ultrason Ferroelectr Freq Control 55: 890–907

Google ученый

Whitfield MD, Audic B, Flannery CM, Kehoe LP, Crean GM, Jackman RB (1999) Распространение акустической волны в свободно стоящем CVD-алмазе: влияние качества пленки и температуры. Diam Relat Mater 8: 732–737

CAS Google ученый

Халл Р. (1999) Свойства кристаллического кремния.IEE Publishing, Портленд

Google ученый

Harris GL (1995) Свойства карбида кремния. IEE Publishing, Портленд

Google ученый

Liao M, Rong Z, Hishita S, Imura M, Koizumi S, Koide Y. (2012) Наноэлектромеханический переключатель, изготовленный из монокристаллического алмаза: эксперименты и моделирование. Diam Relat Mater 24: 69–73.

CAS Google ученый

Ван Дж., Батлер Дж. Э., Хсу DSY, Нгуен CT-C (2002) CVD-поликристаллические алмазные высокодобротные микромеханические резонаторы.В: 15-я международная конференция IEEE по микроэлектромеханическим системам, Лас-Вегас, стр 657–660

Сепульведа Н., Аслам Д.М., Салливан Дж. П. (2005) Технология МЭМС-резонаторов с поликристаллическими алмазами для сенсорных приложений. Diam Relat Mater 15: 398–403

Google ученый

Сепульведа Н., Лу Дж., Аслам Д.М., Салливан Дж. П. (2008) Высокопроизводительные поликристаллические алмазные микро- и нанорезонаторы. J Microelectromech Syst 17: 473–482

Google ученый

Wang J, Butler JE, Hsu DSY, Nguyen CT-C (2002) Высокодобротные микромеханические резонаторы в CH ₄ -реагент-оптимизированный высокоскоростной CVD-полиалмаз.В: Семинар по твердотельным датчикам, приводам и микросистемам, Хилтон-Хед, Южная Каролина, стр. 61–62.

Ван Дж., Батлер Дж. Э., Фейгельсон Т., Нгуен CT-C (2004) Микромеханический дисковый резонатор с нанокристаллическим алмазом 1,51 ГГц с несоответствующим материалом изолирующим основанием. В: 17-я Международная конференция IEEE по микроэлектромеханическим системам, Масстрихт, Нидерланды, стр. 641–644.

Имбоден М., Моханти П., Гайдаржи А., Ранкин Дж., Шелдон Б.В. (2007) Масштабирование рассеяния в микромеханических алмазных генераторах мегагерцового диапазона.Appl Phys Lett 90: 1–4

Google ученый

Hutchinson AB, Truitt PA, Schwab KC, Sekaric L, Parpia JM, Craighead HG, Butler JE (2004) Диссипация в нанокристаллических алмазных наномеханических резонаторах. Appl Phys Lett 84: 972–974

CAS Google ученый

Болдуин Дж. У., Залалутдинов М.К., Фейгельсон Т., Пейт BB, Балтер Дж. Э., Хьюстон Б. Х. (2006) Решетка резонаторов из нанокристаллического алмаза для обработки радиочастотных сигналов.Diam Relat Mater 15: 2061–2067

CAS Google ученый

Гайдаржи А., Имбоден М., Моханти П., Ранкин Дж., Шелдон Б.В. (2007) Гигагерцовые частоты высокого коэффициента добротности в наномеханических алмазных резонаторах. Письма по прикладной физике 91 (20), 203503 — 203503–3.

Адига В.П., Сумант А.В., Суреш С., Гудеман С., Карлайл Дж. А., Аусиелло О., Карпик Р. В. (2009) Механическая жесткость и диссипация в ультрананокристаллических алмазных резонаторах.Phys Rev B 79: 245403

Google ученый

Chua DHC, Milne WI, Sheeja D, Tay BK, Schneider D (2004) Изготовление алмазоподобных консольных резонаторов из аморфного углерода. J Vac Sci Technol B 22: 2680–2684

CAS Google ученый

Чаплевски Д.А., Саллван Дж. П., Фридман Т. А., Вендт Дж. Р. (2006) Механическое рассеяние при повышенных температурах в осцилляторах из тетраэдрического аморфного углерода.Diam Relat Mater 15: 309–312

CAS Google ученый

Ertl S, Adamschik M, Schmid P, Gluche P, Flöter A, Kohn E (2000) Микропереключатель с микроповерхностным алмазом. Diam Relat Mater 9: 970–974

CAS Google ученый

Adamschik M, Kusterer J, Schmid P, Schad KB, Grobe D, Flöter A, Kohn E (2002) Микрореле микроволн Diamond. Diam Relat Mater 11: 672–676

CAS Google ученый

Гурбуз Й., Эсаме О., Текин И., Канг В.П., Дэвидсон Дж.Л. (2005) Алмазная полупроводниковая технология для приложений ВЧ-устройств.Твердотельная электроника 49: 1055–1070

CAS Google ученый

Schmid P, Hernandez-Guillen FJ, Kohn E (2003) Алмазный переключатель, использующий новый принцип теплового срабатывания. Diam Relat Mater 12: 418–421

CAS Google ученый

Ramesham R, Roppel T, Ellis C (1991) Изготовление микроканалов в тонких пленках синтетического поликристаллического алмаза для теплоотводов.J Electr Soc 138: 1706–1709

CAS Google ученый

Müller R, Schmid P, Munding A, Gronmaier R, Kohn E (2004) Элементы для поверхностной микрофлюидики в алмазе. Diam Relat Mater 13: 780–784

Google ученый

Guillaudeu S, Zhu X, Aslam DM (2003) Изготовление поликристаллических алмазных каналов шириной 2 мкм с использованием силиконовых форм для микрожидкостных приложений.Diam Relat Mater 12: 65–69

CAS Google ученый

Müller R, Guillaudeu S, Janischowsky K, Kusterer J, Kohn E (2005) «Полностью алмазная» струйная печать, реализованная в технологии жертвенного слоя. Diam Relat Mater 14: 504–508

Google ученый

Szarowski DH, Andersen MD, Retterer S, Spence AJ, Isaacson M, Craighead HG, Turner JN, Shain W (2003) Мозговые реакции на микромашинные кремниевые устройства.Brain Res 983: 23–35

CAS Google ученый

Tang L, Tsai C, Gerberich WW, Kruckebeu L, Kania DR (1995) Биосовместимость алмаза, нанесенного химическим осаждением из паровой фазы. Биоматериалы 16: 483–488

CAS Google ученый

Tang Y, Aslam DM, Wang J, Wise KD (2005) Поликристаллические алмазные пьезорезистивные датчики положения для зонда для кохлеарного имплантата. В: Proceedings of твердотельные датчики, исполнительные механизмы и микросистемы, стр 542-546

Swain GM, Ramesham R (1993) Электрохимическая активность поликристаллического алмаза, легированного бором, тонкопленочного электрода.Anal Chem 65: 345–351

CAS Google ученый

Чан Х.Й., Варни М., Аслам Д.М., Вайз К.Д. (2008) Изготовление и определение характеристик полностью алмазных микрозондов для электрохимического анализа. В: Международная конференция IEEE по нано / микротехническим и молекулярным системам, стр. 532–535

Chan HY, Aslam DM, Wang SH, Swain GM, Wise KD (2008) Изготовление и тестирование новой полностью алмазной нейронной системы. зонд для химического обнаружения и электрических измерений.В: Международная конференция IEEE по микроэлектромеханическим системам, стр. 244–247

Чан Х-Й, Аслам Д.М., Уилер Дж., Кейси Б. (2009) Новый алмазный микрозонд для нейрохимической и электрической регистрации в нервных протезах. J Microelectromech Syst 18: 511–521

CAS Google ученый

Bennett A, Wang J, Show Y, Swain GM (2004) Влияние sp ² -связанной неалмазной примеси углерода на отклик легированных бором поликристаллических алмазных тонкопленочных электродов.J Electrochem Soc 151: 306–313

Google ученый

Небель CE, Като Х., Резек Б., Шин Д., Такеучи Д., Ватанабе Х, Ямамото Т. (2006) Электрохимические свойства нелегированного CVD-алмаза с концевыми водородными группами. Diam Relat Mater 15: 264–268

CAS Google ученый

Chan H-Y (2008) Поликристаллические алмазные зонды CVD для использования в нейронных исследованиях in vivo и in vitro, Ph.D Диссертация, Университет штата Мичиган

Zhu X, Aslam DM (2006) Технология тонкой пленки CVD-алмаза для упаковки MEMS. Diam Relat Mater 15: 254–258

CAS Google ученый

Zhu X, Aslam DM, Sullivan JP (2006) Применение поликристаллического алмаза в процессе тонкопленочной упаковки резонаторов MEMS. Diam Relat Mater 15: 2068–2072

CAS Google ученый

Zhu X, Aslam DM, Tang Y, Stark BH, Najafi K (2004) Производство полностью алмазных упаковочных панелей со встроенными межсоединениями для беспроводных интегрированных микросистем.J Microelectromech Syst 13: 396–405

CAS Google ученый

May PW, Harvey JN, Smith JA, Mankelevich YA (2006) Переоценка механизма осаждения ультрананокристаллического алмаза из газовых смесей Ar / CH ₄ / H ₂ . J Appl Phys 99: 104907-1-104907–11

Google ученый

Сяо X, Биррелл Дж., Герби Дж. Э., Аусиелло О., Карлайл Дж. А. (2004) Низкотемпературный рост ультрананокристаллического алмаза.J Appl Phys 96: 2232–2239

CAS Google ученый

Карлайл Дж. А., Груэн Д. М., Аусиелло О., Сяо X (2009) Метод выращивания чистых нанокристаллических алмазных пленок при низких температурах и высоких скоростях осаждения. Патент США № 7,556,982.

Ding MQ, Krauss R, Auciello O, Gruen DM, Corrigan T, Kordesch ME, Temple D, Palmer D, McGuire G (1999) Исследования полевой эмиссии из тонких пленок алмазов, выращенных под углом. J Vac Sci Technol B 17: 705–709

CAS Google ученый

Робертсон Дж., Гербер Дж., Саттел С., Вейлер М., Юнг К., Эрхардт Х. (1995) Механизм зарождения алмаза на Si с усилением смещения.Appl Phys Lett 66: 3287–3289

CAS Google ученый

Lee YC, Lin SJ, Lin CY, Yip MC, Fang W, Lin IN (2006) Методы предварительного зародышеобразования для повышения плотности зародышеобразования и адгезии ультра-нанокристаллического алмаза, осажденного при низкой температуре. Diam Relat Mater 15: 2046–2050

CAS Google ученый

Chen YC, Zhong XY, Konicek AR, Grierson DS, Tai NH, Lin IN, Kabius B, Hiller JM, Sumant AV, Carpick RW, Auciello O (2008) Синтез и определение характеристик гладких ультрананокристаллических алмазных пленок с помощью низких зарождение и рост под давлением смещения.Appl Phys Lett 92 (13): 133113

Google ученый

Stoner BR, Ma G-HM, Wolter SD, Glass JT (1992) Характеристика зародышеобразования алмаза на кремнии с усиленным смещением с помощью анализа поверхности в вакууме и просвечивающей электронной микроскопии. Phys Rev B 45: 11067–11084

CAS Google ученый

Gerber S, Sattel S, Ehrhardt H, Robertson J, Wurzinger P, Pongratz P (1996) Исследование зародышеобразования алмаза на кремнии с усилением смещения.J Appl Phys 79: 4388–4396

CAS Google ученый

Lee YC, Lin SJ, Chia CT, Cheng HF, Lin IN (2005) Влияние параметров обработки на поведение зародышеобразования нанокристаллической алмазной пленки. Diam Relat Mater 14: 296–301

CAS Google ученый

Fuentes-Fernandez EMA, Alcantar-Peña JJ, Lee G, Boulom A, Phan H, Smith B, Nguyen T, Sahoo S, Ruiz-Zepeda F, Arellano-Jimenez MJ, Gurman P, Martinez-Perez CA , Якаман М.Дж., Катияр Р.С., Аусиелло О. (2016) Синтез и определение характеристик микрокристаллических алмазных пленок в ультрананокристаллические алмазные пленки с помощью химического осаждения из газовой фазы горячей нитью для масштабирования приложений большой площади.Тонкие твердые пленки 603: 62–68

CAS Google ученый

Барбоса Д.К., Алмейда Ф.А., Силва Р.Ф., Феррейра Н.Г., Трава-Эйрольди В.Дж., Корат Е.Дж. (2009) Влияние температуры подложки на формирование ультрананокристаллических алмазных пленок, осажденных HFCVD-газовой смесью, богатой аргоном. Diam Relat Mater 18: 1283–1288

CAS Google ученый

Barbosa DC, Hammer P, Trava-Airoldi VJ, Corat EJ (2012) Ценная роль скорости ренуклеации в росте ультрананокристаллических алмазов.Diam Relat Mater 23: 112–119

CAS Google ученый

Ansari SG, Anh TL, Seo H-K, Sung K-G, Mushtaq D, H-S. Shin H-S, (2004) Кинетика роста алмазной пленки с зародышеобразованием, усиленным смещением, и смесью H ₂ / CH ₄ / Ar в системе химического осаждения из газовой фазы с горячей нитью. Рост кристаллов J 265 (3–4): 563–570

CAS Google ученый

Li Y, Li J, Wang Q, Yang Y, Gu C (2009) Контролируемый рост нанокристаллических алмазных пленок методом химического осаждения из газовой фазы горячей нитью.J Nanosci Nanotechnol 9 (2): 1062–1065

CAS Google ученый

Янишовски К., Эберт В., Кон Е. (2003) Зарождение алмаза на кремнии с усилением смещения (100) в системе HFCVD. Diam Relat Mater 12 (3–7): 336–339 ​​

CAS Google ученый

Алькантар-Пенья Дж. Дж., Де Обальдиа Е., Монтес-Гутьеррес Дж., Канг К., Арельяно-Хименес М. Дж., Ортега Агилар Дж. Е., Сухи Г. П., Берман-Мендоса Д., Гарсия Р., Якаман М. Дж., Осьелло О (2017) Основы синтеза многофункциональных ультрананокристаллических алмазных пленок на большой площади с помощью химического осаждения из газовой фазы горячей нити с большой площадью смещения, усиленного зародышеобразования / смещения, ускоренного роста для изготовления широкого спектра многофункциональных устройств на основе алмаза.Diam Relat Mater 78: 1–11

Google ученый

Коммутатор RF-MEMS 0,5–6 ГГц GaN 40 Вт SPDT-переключатель: TGS2355, Qorvo (https://www.rfglobalnet.com/doc/gan-100-watt-spdt-switch-tgs2355-datasheet-0001

Goldsmith C, Sumant AJ, Auciello O, Carlisle JA, Zeng H, Hwang JCM, Palego C, Wang Carpick WR, Adiga V, Datta A, Gudeman C, O’Brien S, Sampath S (2010) Зарядка характеристики ультрананокристаллического алмаза в емкостных переключателях RF-MEMS.В: Дайджест Международного микроволнового симпозиума IEEE, стр. 1246–1249.

Schroeppel E, Lin J (1999) Надежность и клиническая оценка источников питания кардиостимуляторов. В: Munshi MZA (ed) Справочник по твердотельным батареям и конденсаторам, том 1. World Scientific Publishing Co, Лондон

Google ученый

Робертс П., Стэнли Дж., Морган Дж. М. (2008) Сбор энергии сердечного движения для работы кардиостимулятора.Тираж 118: S679 – S682

Google ученый

Лу Ф, Ли ХП, Лим С.П. (2004) Моделирование и анализ микропьезоэлектрических генераторов энергии для приложений микроэлектромеханических систем. Smart Mater Struct 13: 57–63

Google ученый

Lee G, Fuentes-Fernandez EM, Lian G, Katiyar RS, Auciello O (2015) Гетероэпитаксиальный BiFeO ₃ / SrTiO ₃ Наноламинаты с более высокой производительностью пьезоотклика по сравнению со стехиометрическими _{пленками BiFeO.Appl Phys Lett 106: 022905}

Google ученый

Сударсан С., Хиллер Дж., Кабиус Б., Аусиелло О. (2007) Пьезоэлектрические / ультрананокристаллические алмазные гетероструктуры для высокоэффективных многофункциональных микро / наноэлектромеханических систем. Appl Phys Lett 90: 134101

Google ученый

Auciello O (2020) Наука и технология интегрированных многофункциональных пьезоэлектрических оксидов / ультрананокристаллических алмазных пленок (UNCD ^TM ) для нового поколения биомедицинских устройств для генерирования энергии, доставки лекарств и датчиков для МЭМС.В: О. Аусиелло (ред.). Глава 9 в книге «Ультрананокристаллический алмаз (UNCD ^TM ), оксиды, нитридные покрытия и наночастицы для нового поколения медицинских устройств, протезов и методов лечения. Cambridge Publisher, Cambridge ( в печати ).

Томас Р., Мочизуки С., Михара Т., Ишид Т. (2002) Получение тонких пленок Pb (Zr, Ti) O с помощью высокочастотного магнетронного распыления с одной стехиометрической мишенью: структурные и электрические свойства. Тонкие твердые пленки 413: 65–75

CAS Google ученый

Ван З., Кокава Х., Маеда Р. (2006) Эпитаксиальные пленки PZT, нанесенные импульсным лазерным осаждением для приложений МЭМС.Издания TIMA / DTIP, ISBN 2:

7-03.

Auciello O, Dat R, Ramesh R (1996) Импульсное лазерное абляционное осаждение и определение характеристик сегнетоэлектрических тонких пленок и гетероструктур. В: Paz de Araujo CA, Scott JF, Taylor GW (eds) Тонкие сегнетоэлектрические пленки: синтез и основные свойства. Издательство Gordon and Breach, Лондон

Google ученый

Баджадж П., Акин Д., Гупта А., Шерман Д., Ши Б., Аусиелло О., Башир Р. (2007) Ультрананокристаллическая алмазная пленка как оптимальный интерфейс ячейки для биомедицинских приложений.Биомед Микродев 9 (6): 787–794

CAS Google ученый

Shi B, Jin Q, Chen L (2008) Auciello O (2008) Основы ультрананокристаллических алмазных пленок (UNCD) как биоматериалов для биологии развития: рост эмбриональных фибробластов на поверхности пленок (UNCD). Diam Relat Mater 18 (2): 596–600

Google ученый

Жена О.Аусиелло получила в 2013 году дефибриллятор / кардиостимулятор с питанием от литий-ионной батареи (общая стоимость устройства + больница в США — 91 000 долларов).Полное устройство (инкапсулированная электроника плюс аккумулятор) пришлось заменить к 2019 году (общая стоимость нового устройства + дневной стационар = 71000 долларов).

Ballantine DS Jr, White RM, Martin SJ, Ricco AJ, Zellers ET, Frye GC, Wohltjen H, Levy M и Stern R (1997) Датчики акустических волн: теория, дизайн и физико-химические приложения, Academic Press Inc.

Залазар М., Аусиелло О. (2020) Наука и технология интегрированных нитридных пьезоэлектрических / ультрананокристаллических алмазных (UNCD ^TM ) пленок для нового поколения биомедицинских устройств для выработки энергии, доставки лекарств и датчиков.В: Auciello O (ред.) Глава 8 в книге «Ультрананокристаллический алмаз (UNCD ^TM ), оксиды, нитридные покрытия и наночастицы для нового поколения медицинских устройств, протезов и методов лечения. Cambridge Publisher (в печати)

Gruen DM, Krauss AR, Auciello O, Carlisle JA (2004) Легирование N-типа пленок NCD азотом и электродов, изготовленных из него », патент США № 6,793,849 B1

Getty SA, Auciello O, Sumant AV, Wang X, Galvin DP, Mahaffy PR (2010) Характеристика ультрананокристаллического алмаза, содержащего азот, как прочного материала с холодным катодом.Микро- и нанотехнологические датчики, системы и приложения-II. В: Джордж Т., Ислам С., Датта А. (ред.) Proceedings SPIE. т. 7679, 76791Н-1.